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主要用途
RPD蒸镀制备ITO导电膜
物理及化学特性
化 学 式: In2O3/SnO2
外 观: 绿色块状陶瓷
晶 粒 度: 5~15µm
电 阻 率: 1.2×10-4Ω·cm
线 胀 系 数: 5.8×10-6K-1
相 对 密 度: 60±2%
纯 度: ≥99.99%
产品检测方法
晶 粒 度: 扫描电镜(SEM)观察。
纯 度: ICP—AES分析测试杂质含量。
密 度: 手测法(千分尺、分析天平)。
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